• 全新原装N-MOS管 IPZ40N04S5L-4R8可提供质检报告和专票
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全新原装N-MOS管 IPZ40N04S5L-4R8可提供质检报告和专票

技术 MOSFET (金属氧化物) 漏源电压(VDSS) 40V 25℃ 时电流-连续漏(ID) 40A(TC) 驱动电压(最大RDS ON,最小RDS ON) 4.5V,10V 不同 Id, VGS 时导通电阻(最大值) 4.8豪欧@20A,10V 不同 ID 时 VGS(th)(最大值) 2V@ 17A 不同VGS 时栅极电荷 (QG)最大值 29 NC @ 10 V Vgs(最大值) 16V 不同Vgs 时输入电容(Ciss)(最大值) 1560 pf @ 25V
市场价格:¥19.5
本店价格:¥15
商品编号:晶体管
商品库存:1000
数量:
- +
商品详情
类别
分立半导体产品
晶体管-PET,MOSFET-单个
制造商
infineon  technologies
系列
Automotive  AEC-Q101 OPtimos-5
包装
卷带(TR)
剪刀带(CT)
FET 类型
N  通道
技术
MOSFET (金属氧化物)
漏源电压(VDSS)
40V
25℃ 时电流-连续漏(ID)
40A(TC)
驱动电压(最大RDS ON,最小RDS ON)
4.5V,10V
不同 Id, VGS 时导通电阻(最大值)
4.8豪欧@20A,10V
不同 ID 时 VGS(th)(最大值)
2V@ 17A
不同VGS  时栅极电荷 (QG)最大值
29   NC @ 10 V
Vgs(最大值)
16V
不同Vgs 时输入电容(Ciss)(最大值)
1560 pf @ 25V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
48W(TC)
工作温度
-55℃~175℃(TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
PG-TSDSON-8
封面/外壳
8-PowerVDFN